|
Title
|
بررسی رسانندگی سیلیسن با استفاده از روش ماتریس گذار
|
|
Type of Research
|
Thesis
|
|
Keywords
|
سیلیسن، رسانندگی، روش ماتریس گذار
|
|
Abstract
|
یکی از مشکلات ترانزیستور های ساخته شده از گرافن، قطع نشدن به موقع جریان به علت نبود گاف انرژی است. این مشکل برای سیلیسن وجود ندارد، چون که گاف انرژی آن با میدان الکتریکی خارجی قابل کنترل است. با این حال خواص الکتریکی نانو- ریبونهای سیلیسن و ورقه های سیلیسن شبیه گرافن است. سیلیسن در مقایسه با گرافن، به علت دارا بودن زمان طولانیSpin-diffusion وطول همدوسی اسپینی طولانی و همچنین دارا بودن گاف الکتریکی، برای کاربردهای اسپینترونیکی بسیار مناسب است و می تواند در ترانزیستور های نسل آینده به کار گرفته شود.
|
|
Researchers
|
amirreza abdolmohammadi (Student)، mohammad esmailpour (Primary Advisor)، Arash Phirouznia (Advisor)
|