|
Title
|
اثر پلاسمون های سطحی روی جابه جایی گوس- هانچن در پیکربندی اتو
|
|
Type of Research
|
Thesis
|
|
Keywords
|
پلاسمون سطحی، پیکربندی اتو، جابه جایی گوس- هانچن
|
|
Abstract
|
در این کار، جابه جایی عرضی (جابه جایی گوس-هانچن) باریکه فضایی محدود شده در پیکربندی اتو به صورت تئوری مطالعه می شود. اثر پلاسمونهای سطحی پس رو القاء شده در مرز بین تیغه ایی با ضریب شکست مثبت و محیط نیمه بینهایت با ضریب شکست منفی روی علامت و مقدار جابه جایی بررسی می شود. همچنین اثر ضخامت لایه دی الکتریک در ساختار روی مسئله نشان داده می شود. برای این کار، پس از معرفی ساختار، روابط مربوط به جابه جایی گوس-هانچن استخراج شده سپس نتایج مورد نظر نشان داده می شوند. نشان داده می شود که با القاء امواج سطحی پس رو می تواند منجر به جابه جایی گوس هانچن مثبت یا منفی شود. مثبت یا منفی شدن جابه جایی به اندازه نسبی ضخامت لایه دی الکتریک و عمق نفوذ بستگی دارد. با استفاده از مواد با ویژگی های خاص (برای مثال گرافن یا نانوکامپوزیتها) از این ساختار می توان به عنوان اشکارسازهای بیولوژی کنترل پذیر استفاده کرد. یعنی شارش انرژی در خلاف جهت سرعت فاز در راستای سطح است. همچنین، به همان دلیل، در مرز بین دو محیط با ضریب شکست مثبت و منفی جابه جایی منفی است. با وجود اینکه در مرز بین دو محیط می توان تا حدودی آن را تغییر داد ولی نشان داده شده، وقتی از سیستم لایه ایی (پیکربندی اتو) استفاده می شود منترل پذیری راحتر می شود
|
|
Researchers
|
Asghar Mehdizadeh (Student)، Kazem Jamshidi-Ghaleh (Primary Advisor)، Rasoul Aalipour (Advisor)
|