|
Title
|
طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی ریل تو ریل با عملکرد بالا
|
|
Type of Research
|
Presentation
|
|
Keywords
|
تقویت کننده عملیاتی ریل تو ریل، تکنیک تغییر سطح ولتاژ DC، ضریب ترارسانایی ثابت، بهره بالا، توان مصرفی و ولتاژ تغذیه کم
|
|
Abstract
|
در این مقاله، یک تقویت کننده ریل تو ریل در طبقه ورودی ارائه شده است که با استفاده از تکنیک تغییر سطح ولتاژ، ضریب ترارسانایی برای مدار ثابت نگه داشته شده است. همچنین استفاده از فیدبک مثبت در طبقه خروجی، سبب شده است که رسانایی خروجی حذف شود. مدار تقویت کننده پیشنهادی نسبت به تقویت کننده ریل تو ریل مرسوم، عملکرد بهتری دارد که برای مقایسه عادلانه هر دو مدار در نرم افزار Cadence در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS و با تغذیه 5/1 ولت و بار خازنی خروجی 1 پیکوفاراد شبیه سازی شده اند. بهره DC برای مدار پیشنهادی 25/87 دسی بل به دست آمده است. همچنین حاشیه فاز و پهنای باند تقویت کننده نیز به ترتیب برابر با 4/67 درجه و 13 مگاهرتز می باشند. توان مصرفی برای تقویت کننده ارائه شده با توجه به ولتاژ کم تغذیه، 8/498 میکرووات می باشد که توان مصرفی مناسبی نسبت به کارهای مشابه محسوب می شود.
|
|
Researchers
|
Mohammadreza Farsi (First Researcher)، Khalil Monfaredi (Second Researcher)، MOUSA YOUSEFI (Third Researcher)
|