|
Title
|
طراحی و شبیه سازی مدارهای تطبیق پهن باند فرکانسی و کوچک سازی شده در ورودی و خروجی یک تقویت کننده توان در باند S (2-4 گیگاهرتز) با مشخصات امپدانسی و گذر بهبود یافته براساس ساختارهای ترکیبی دست راستی-دست چپی
|
|
Type of Research
|
Thesis
|
|
Keywords
|
مدار تطبیق پهن باند فرکانسی، تقویت کننده توان ، خطوط انتقال دست راستی - دست چپی ، فراماده
|
|
Abstract
|
کاهش اندازه ی المان های استفاده شده در خطوط انتقال، اهمیت زیادی در سیستم های قابل حمل امروزی دارد در نتیجه به منظور کاهش اندازه ی سیستم های ارتباطی از خطوط انتقال مبتنی بر Metamaterial در پیاده سازی اجزای مختلف سیستم استفاده می شود[3]. تکنولوژی خطوط انتقال صفحه ای به طور گسترده ای در طراحی مداری در فرکانس های ماکروویو مورد استفاده قرار می گیرد. خطوط انتقال صفحه ای معمولی دارای دو مشکل عمده هستند: 1- اندازه ی آنها، با فرکانس کاری مدار متغیر است 2- پارامترهای مورد نیاز برای طراحی دقیق محدود می باشد. از این رو طول خطوط انتقال استفاده شده در طراحی ها، از مرتبه ی طول موج می باشد که به معنی افزایش اندازه ی ساختار در فرکانس های پایین است که با کاهش اندازه ی سیستم ها مغایرت دارد. موضوع دیگری که باید مورد بررسی قرار گیرد، طراحی خطوط انتقال بر اساس امپدانس مشخصه و فاز است. فاز در یک خط انتقال، رابطه ی خطی با فرکانس و طول خط دارد. در نتیجه عملکرد مناسب برای این خطوط فقط در یک باند فرکانسی مشخص قابل دستیابی است و این خطوط برای کاربردهای پهن باند مناسب نیستند. روش جایگزین، استفاده از خطوط انتقال CRLH می باشد. در این نوع خطوط وابستگی اندازه ی مدار به فرکانس از بین رفته و امکان کوچک سازی ساختار طراحی شده وجود دارد. در نتیجه استفاده از خطوط انتقال CRLH در طراحی مداری، اهمیت بالایی در کاهش اندازه ی سیستم های ارتباطی دارد. هدف اصلی در این پایان نامه، طراحی مدار تطبیق مبتنی بر ساختار CRLH در ورودی و خروجی تقویت کننده ی توان باند S با استفاده از خطوط ماکرواستریپ است. مشخصات عملکرد مدارهای تطبیق ارائه شده، با استفاده از پارامترهای پراکندگی (S-parameters) ارزیابی می شود. اهداف مورد نظر در طراحی مدار تطبیق در ورودی و خروجی، به صورت زیر است:
1-طراحی مدار تطبیق امپدانس در ورودی تقویت کننده ی توان به عنوان فیلتر میانگذر پهن باند
2- تطبیق امپدانس مناسب در ورودی و خروجی S11) و S22 (
3- پوشش کل باند فرکانسی S 4- ریپل پایین در باند عبوری
5- حذف هارمونیک ها در خروجی تقویت کننده
6- Insertion Loss پایین
|
|
Researchers
|
(Student)، Khalil Monfaredi (Primary Advisor)، Reza Zaker (Advisor)
|