|
Abstract
|
پاشندگی خطی امواج الکترمغناطیسی در محیطهای یونیزه مانند پلاسمای سرد و نسبتا یونیزه مانند پلاسمای حالت جامد برای شناخت خواص اپتیکی از اهمیت بسزایی برخوردار است. بعنوان مثال برای طراحی نیمه هادی های ویژه سلول های خورشیدی با بازدهی بالا شناخت این خواص اپتیکی دارای جنبه های کاربردی ویژه ای می باشد. از نظر مطالعه نظری نیز بررسی دینامیک الکترون-حفره و اندرکنش تجمعی آنها با امواج الکترومغناطیسی یکی از ملزومات شناخت ساختار گاف نوارهای انرژی والانس و رسانش و مطالعه تحرک پذیری الکترون و حفره در یک نیمه هادی است.
|