|
Title
|
طراحی و شبیه سازی بلوکهای محاسباتی چهارسطحی با ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی
|
|
Type of Research
|
Thesis
|
|
Keywords
|
ترانزیستور نانولوله کربنی ، بلوک محاسباتی چهارسطحی
|
|
Abstract
|
ایده ی ترانزیستورهای سیلیکونی پس از طرح در دنیای الکترونیک، به سرعت مورد نظر صنایع الکترونیک قرار گرفت در واقع در حالیکه مکانیزم عملیات مدارهای مجتمع رایانه ها تا قبل از این، بر اساس روشن و خاموش شدن لامپ های خلاء انجام می-گرفت. ترانزیستورهای سیلیکونی یا همان عنصر سیلسیوم (Si) به عنوان ماده ای که خواص نیمه رسانایی دارد و به فراوان در طبیعت یافت می شود ماده ی اصلی ساخت ترانزیستورها گردید و به عنوان ابزارهای کوچکتر و ارزانتری که ساخت میلیون ها عدد از آن در زمان اندکی میسر بود جایگزین لامپ های خلاء شد. در منطق باینری یا دو مقداره، ولتاژ کاری مدار به دو سطح منطق 0 و 1 تقسیم می شود هر چند می توان ولتاژ مدار را به بیش از دو سطح منطق تقسیم نمود و بدین ترتیب کارایی مدار را بالا برد. منطق چهارسطحی امکان تعریف بیش از دو منطق را فراهم می کند و در نتیجه حجم تراشه را کاهش می دهد و راهی برای افزایش اطلاعات ذخیره شده و منتقل شده در تراشه است . به این دلیل نسبت به منطق دو مقداری باعث کاهش چشم گیر سطح تراشه، افزایش سرعت و کارایی و نیز کاهش توان مصرفی می شود.
|
|
Researchers
|
(Student)، MOUSA YOUSEFI (Primary Advisor)، Khalil Monfaredi (Advisor)
|