|
Title
|
رفتار جذب یکسویه بلور فوتونی یک بعدی با لایه ی نقصMoS2
|
|
Type of Research
|
Presentation
|
|
Keywords
|
بلور فوتونی یک بعدی، تک لایه ی MoS2، جذب یکسویه
|
|
Abstract
|
در این کار، طیف جذبی تک لایه ی گرافن گونه MoS2 مورد بررسی قرار گرفته است. جذب در یک تک لایه به زاویه ی تابش حساس بوده و شدت آن به دلیل ضخامت کم ناچیز است. یک راه پیشنهادی برای افزایش جذب این نوع مواد، قراردادن لایه ی فوق در ساختار بلور فوتونی یک بعدی است. ساختاری با آرایشی به صورت (A1B1 )N1 C1 MoS2 C2 (B2A2)N2)) پیشنهاد شده که ترکیبC1 MoS2 C2 به عنوان لایه ی نقص عمل می کنند. در این ساختار لایه های A، B و C مواد با دی الکتریک معمولی هستند. وجود لایه ی نقص باعث جایگزیدگی مد نقص و در نتیجه سبب افزایش جذب از ساختار می شود. رفتار طیف جذبی برای دو جهت تابش به ساختار به ازای زوایای تابشی متفاوت بررسی شده است. نتایج نشان می دهند که در زاویه خاصی از تابش، جذب در ساختار فقط در یک جهت اتفاق می افتد. همچنین اثر ضخامت لایه یC1 بر رفتارجذب یکسویه مورد مطالعه قرار گرفته است
|
|
Researchers
|
Fatemeh Moslemi (First Researcher)، Kazem Jamshidi-Ghaleh (Second Researcher)، (Third Researcher)
|