|
Title
|
طراحی و شبیه سازی بلوک های آنالوگ پایه مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی با رویکرد کاربرد در مبدل های داده
|
|
Type of Research
|
Thesis
|
|
Keywords
|
بلوک آنالوگ ، ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی ، مبدلهای داده ،نانوالکترونیک
|
|
Abstract
|
ویژگی های منحصر به فردی مانند قابلیت انتقال الکتریکی بالستیک، تحرک پذیری بالای حامل ها، چگالی جریان زیاد، تقارن باند الکتریکی و عدم پیوندهای آویزان از یک سو و قابلیت تنظیم ولتاژ آستانه و در نتیجه امکان پیاده سازی منطق چند ارزشی از سوی دیگر، ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله کربنی را در شمار یکی از مهمترین گزینه ها به منظور جایگزینی با ترانزیستورهای MOSFET قرار داده اند. باتوسعه و پیشرفت مدارات آنالوگ طول و پیچیدگی اتصالات داخلی و همچنین سطح چیپ مورد نیاز جهت پیاده سازی این مدارات، افزایش پیدا کرده است. از طرفی تعبیه کردن سیستم های چندگانه در یک تک IC، افزایش توان مصرفی و کاهش سرعت پردازش اطلاعات را به دنبال خواهد داشت.
بدین منظور دست یافتن به روشی که مشکل پیچیدگی اتصالات داخلی را بدون تخریب پارامترهای توان و سرعت، بهبود بخشد امری ضروری می باشد. فناوری های جدید ارائه شده در سال های اخیر همچون ترانزیستورهای نانو لوله کربنی و ترانزیستورهای تک الکترونی با تسهیل پیاده سازی این نوع مدارها و رفع بعضی مشکلات آن ها، باعث توجه بیش از پیش طراحان به این تکنولوژی شده اند. علاوه بر این استفاده از این فناوری ها در مقایسه با ترانزیستور های سیلیکونی کارایی بهتری نیز برای مدارهای آنالوگ ایجاد می نماید. در این طرح هدف ما ارائه مدار های آنالوگ بر پایه ترانزیستور CNTFET می باشد. برای دستیابی به این هدف ابتدا ساختار ترانزیستور را بررسی کرده و برای درک مناسب از عملکرد آن شبیه سازی های لازم را انجام می دهیم، سپس برای پیاده سازی مدارهای نهایی ابتدا ساختار های ارائه شده قبلی را مطالعه و شبیه سازی می کنیم. در نهایت با توجه به نکات طراحی مدار های مبتنی بر CNTFET طراحی های اصلی که شامل مدارهای آنالوگ مانند مقایسه کننده ، نمونه بردار و نگه دار و تقویت کننده عملیاتی می شود را انجام داده و برای به دست آوردن نتایج، این مدار ها را در محیط نرم افزار Hspice شبیه سازی خواهیم کرد.
|
|
Researchers
|
(Student)، MOUSA YOUSEFI (Primary Advisor)، Khalil Monfaredi (Advisor)
|