|
Title
|
طراحی و شبیه سازی مبدل های آنالوگ به سه سطحی بر پایه ی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله ی کربنی
|
|
Type of Research
|
Thesis
|
|
Keywords
|
مبدل های آنالوگ به سه سطحی ، ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله ی کربنی ، نانو الکترونیک
|
|
Abstract
|
کاهش ابعاد ترانزیستورها که منجر به کاهش سطح تراشه می شود برای دست یابی به مدارهای مجتمع سریعتر و با عملکرد بهتر ضروری است. از طرفی کاهش ابعاد ترانزیستورها در تکنولوژی نیمه رسانای اکسید فلز، و در ابعاد نانو با مشکلات و چالش هایی روبروست. مشکلاتی نظیر اثرات کانال کوتاه، جریان نشتی بالا، توان مصرفی زیاد، کاهش کنترل گیت و ... باعث مختل شدن روند کاهش ابعاد در مقیاس نانو می شود.
بنا به دلایل ذکر شده محققان به دنبال جایگزینی مناسب در جهت رفع مشکلات فوق و تحقق قانون مور می باشند. یکی از فناوری های نوظهور برای جایگزینی با تکنولوژی سیلیکون ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله ی کربنی می باشد.
طراحی مدارهای دیجیتال به طور مرسوم با منطق دودویی، که در آن دو سطح منطقی نشان داده شده با دو مقدار مجزای جریان، ولتاژ و یا بار همراه شده است. از طرفی بر خلاف منطق باینری، در سیستم های چندسطحی، با کاهش تعداد عملیات لازم برای پیاده سازی توابع ریاضی و منطقی و در نتیجه کاهش مساحت و توان مصرفی تراشه، که این به نوبه ی خود موجب کاهش نویز و همچنین دسترسی به سرعت بالاتر می شود بیش از دو سطح منطقی می توان تعریف کرد.
مناسب ترین روش طراحی مدارهای چندارزشی ، روش طراحی با چند ولتاز آستانه است که با تغییر قطر نانولوله ها در تکنولوژی CNTFET می توان بدان دست یافت. با توجه به آنچه بیان شد طراحی مدارهای چندسطحی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله ی کربنی در چند دهه ی گذشته توجه خاصی در میان طراحان مدار و سیستم جذب کرده است.
امروزه مبدل های آنالوگ به دیجیتال به عنوان جزء جدایی ناپذیر از سیستم های روی تراشه بشمار می آیند، زیرا فاصله بین دنیای فیزیکی آنالوگ و دنیای منطقی دیجیتال را از بین می برند.
تمایل روزافزون به استفاده از تجهیزات قابل حمل، سبب شده ملزومات طراحی این مبدل ها مانند سرعت، توان مصرفی و سطح اشغالی بهبود یابند. تکنیک ها و روش های مختلفی جهت بهبود عملکرد مبدل ها ارائه شده که روز به روز در حال پیشرفت می باشند. یکی از فناوری ها طراحی مبدل آنالوگ به سه سطحی بر پایه ی ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله ی کربنی می باشد. نوع روش تبدیل و فناوری که در طراحی و ساخت مبدل های آنالوگ به سه سطحی بکار می رود، مشخصات مهم مبدل ها شامل سرعت، قابلیت تمایز و قیمت آن را تعیین می کند.
|
|
Researchers
|
Saeed Parna (Student)، Khalil Monfaredi (Primary Advisor)، MOUSA YOUSEFI (Advisor)
|