|
Abstract
|
تک لایه های گرافن و مولیبدینییوم دی سولفاید (MoS2)به تنهایی به دلیل ضخامت کم جذب ناچیزی دارند. ترکیب این نوع مواد در ساختار بلور فوتونی میتواند سبب افزایش جذب ساختار شود. در این کار، ساختاری از بلور فوتونی با تناوب سه تایی به شکل ABG)n CMoS2C (GBA)m) پیشنهاد شده که در آن لایه های A, B, C مواد دی الکتریک، G نشان دهنده لایه گرافن و ترکیب CMoS2C به عنوان لایه ی نقص می باشند. طیف جذبی ساختار با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. نتایج نشان میدهند که ساختار فوق در ناحیه طیف مرئی رفتار جذب یکسویه دارد. اثر مکان لایه ی نقص، قطبش و راستای میدان تابشی در رفتار جذب یکسویه مطالعه و بهینه شده است. مکان مد جذبی مستقل از نوع قطبش بوده ولی شدت پیک و پهنای آن در قطبش TEبسته به جهت تابش با تغییر زاویه رفتار متفاوت دارد. لازم به ذکر است که وجود لایه گرافن باعث افزایش جذب ساختار میشود.
|