|
Title
|
بررسی تاثیر چگالی الکترون ساختارهای نیمه رسانای تک لایه و چند لایه روی تکینگی های طیف های تراگسیل و بازتاب آنها
|
|
Type of Research
|
Thesis
|
|
Keywords
|
تکینگی طیفی، چگالی الکترون، نیمه رسانا
|
|
Abstract
|
یک محصول جالب از مطالعه اخیر پتانسیل های مختلط که از یک طیف حقیقی حمایت می کنند، کشف تحقق نوری یک مفهوم ریاضی به نام تکینگی طیفی است. از نظر فیزیکی تکینگی های طیفی برای سیستمی اتفاق می افتد که عملگر انرژی پتانسیل آن غیر هرمیتی با ویژه مقادیر حقیقی باشد. در فرکانس های مربوط به تکینگی طیفی ضرایب بازتاب و عبور از محیط به بی نهایت میل می کند. و این معادل تشدید با پهنای صفر است.
در این پژوهش ما بر آنیم که تاثیر چگالی الکترون و در نتیجه فرکانس پلاسمای یک محیط نیمه رسانای با تراز دواتمی را روی رفتار تکینگی طیف های عبور و بازتاب از این ساختار مطالعه کنیم.
عملا برای آشکارسازی طیف نیاز به آشکارسازی داریم که پهنای دریچه ی آن از پهنای خود طیف کمتر باشد. و با توجه به اینکه پهنای تکینگی های طیفی محاسبه شده تا کنون حدود 0.01 نانومتر است، لذا باید پهنای دریچه ی آشکارساز کمتر از 0.01 نانومتر باشد. اما طیف سنج هایی که ما در اختیار داریم دارای پهنای دریچه ای 1 نانومتر و نهایتا 0.1 نانومتر هستند. لذا این مطالعه در این راستا قرار گرفته که بتوان شرایط فیزیکی فراهم کرد که با افزایش پهنای فرکانسی، مدهای تکینه را آشکارسازی کرد.
|
|
Researchers
|
(Student)، Rasoul Aalipour (Primary Advisor)، Kazem Jamshidi-Ghaleh (Advisor)
|