Research Specifications

Home \مدلسازی ترانزیستور اثر میدانی ...
Title مدلسازی ترانزیستور اثر میدانی گرافینی با کانال شامل دو نقطه ی کوانتومی جفت شده
Type of Research Article
Keywords نقطه کوانتومی، ترانزیستور اثر میدانی، گرافین، ترابرد تشدیدی
Abstract در این مقاله یک نوع ترانزیستور گرافینی اثر میدانی جدید با ترابرد تونل زنی تشدیدی معرفی و مدل سازی می-شود که برای بسیاری از ساختارهای غیرگرافینی دوبعدی مسطح هم که دارای نوار ممنوعه انرژی هستند قابل کاربرد است. همانند سایر ترانزیستورهای اثر میدانی بر پایه ی گرافین، جریان، از طریق نوار دو بعدی گرافینی برقرار می شود. اما در اینجا، با انتخاب منبع و درین نوع p و نیز هندسه ی ویژه ی الکترود گیت، کانال گرافینی، به دو نقطه کوانتومی تبدیل می شود که به صورت سری به هم متصل اند. شدت جفت شدگی بین دو نقطه کوانتومی و اندازه ی این نقاط، مشخصه ی جریان کانال را تعیین می کنند. تونل زنی تشدیدی در مشخصه جریان-ولتاژ سیستم، مشاهده می شود.
Researchers Hakimeh Mohammadpour (First Researcher)