|
Title
|
مدل سازی ترانزیستور اثر میدانی گرافینی با دو کانال جفت شده و تنها یک الکترود گیت
|
|
Type of Research
|
Presentation
|
|
Keywords
|
نقطه کوانتومی، ترانزیستور، گرافین، ترابرد تشدیدی
|
|
Abstract
|
در این مقاله نوع جدیدی ترانزیستور اثر میدانی بر پایه ی گرافین مدل و بررسی میشود. جریان ترانزیستور، از طریق نوار دو بعدی گرافینی برقرار میشود اما در ساختاری که در این مقاله معرفی میشود، با انتخاب سورس و درین نوع pو مدل سازی هندسه ی ویژه ی الکترود گیت بر روی کانال گرافینی، این کانال، به دو نقطه کوانتومی تبدیل میشود که به صورت سری در طول کانال به هم متصل اند. جریان ترانزیستور از طریق جفت شدگی ترازهای انرژی این دو نقطه کوانتومی برقرار میشود. بنابراین، شدت جفت شدگی بین دو نقطه کوانتومی و اندازه ی این نقاط، جریان کانال را تعیین میکند. تونل زنی تشدیدی در مشخصه جریان-ولتاژ سیستم، مشاهده میشود
|
|
Researchers
|
Hakimeh Mohammadpour (First Researcher)، Karim Milanchian (Second Researcher)، Zahra Eyni (Third Researcher)
|