|
Title
|
تقویت چرخش فارادی تنظیم پذیر با شدت عبور بالا در بلورمگنتوفوتونی شامل نیم رسانای ناهمسانگرد InAs
|
|
Type of Research
|
Article
|
|
Keywords
|
بلور مگنتوفوتونی، چرخش فارادی، تنظیم پذیری، نیمرسانای ناهمسانگرد InAs
|
|
Abstract
|
طیف عبوری و چرخش فارادی از ساختار بلور مگنتوفوتونی با آرایش متقارن (AB)m InAs (BA)m با استفاده از روش ماتریس انتقال 4×4 بررسی شده است. لایه های B, A مواد دی الکتریک معمولی و InAs نیم رسانای ناهمسانگرد به عنوان لایه ی نقص عمل می کند. در گاف باند فوتونی ساختار، دو مدنقص با چرخش فارادی در همان ناحیه ی فرکانسی مدهای نقص ظاهر می شوند. در این مقاله نشان داده شده که با تغییر پارامترهای ساختاری تعداد تناوب و ضخامت لایه ی نقص امکان طراحی ساختار برای تقویت چرخش فارادی با شدت عبور نسبتا بالا وجود دارد. اثر پارامترهای خارجی، شدت میدان مغناطیسی و زاویه ی موج تابشی در تقویت مقادیر چرخش فارادی و شدت عبوری مطالعه و بهینه شده اند. بیشترین چرخش فارادی با شدت عبور نسبتا بالا حاصل در این کار به مقدار 44/23- در زاویه ی تابشی 20 درجه بدست آمد. نتایج نشان می دهند مکان فرکانسی مدهای نقص در طیف عبوری و چرخش فارادی وابسته به راستای میدان تابشی و ضخامت لایه ی نقص و لی مستقل از تغییرات میدان مغناطیسی و تعداد تناوب ساختارند.
|
|
Researchers
|
Fatemeh Moslemi (First Researcher)، (Second Researcher)
|