|
Abstract
|
در این مقاله، رفتار مدنقص در طیف عبوری از ساختار بلور فوتونی یک بعدی با آرایش (AC)5 P (AC)5 مطالعه شده که در آن لایه های A,C مواد دی الکتریک معمولی و لایه ی نقص P، پلاسمای ناهمسانگرد هستند. حضور لایه ی نقص باعث پدید آمدن مدنقص در ناحیه ی گاف باند فوتونی ساختار می شود. طیف عبوری ساختار در هر دو قطبش TE, TM با استفاده از روش ماتریس انتقال 2×2 بررسی شده است. نشان داده شده که پاسخ نوری لایه ی نقص وابسته به جهت میدان تابشی و قطبش است. اثر قطبش بر فرکانس و شدت عبوری مدنقص مطالعه شده است. نتایج نشان می دهند وابستگی خواص نوری لایه ی نقص در قطبش TM به شدت میدان مغناطیسی خارجی سبب تنظیم پذیری فرکانس و شدت عبوری مدنقص در این قطبش می شود. اثر چگالی پلاسما بر رفتار مدنقص در هر دو قطبش نیز بررسی شده است.
|