|
Title
|
پیاده سازی مقاومت حافظه دار با ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی
|
|
Type of Research
|
Thesis
|
|
Keywords
|
ترانزیستور های اثر میدانی نانو لوله کربنی ، مقاومت حافظه دار
|
|
Abstract
|
مقاومت حافظه دار یک نانوافزاره دو ترمیناله نوظهور است که اخیراً توجه بسیاری از محققان را به خود جلب کرده است. برتری هایی که مقاومت حافظه دار را مورد توجه قرار داده و پژوهشگران بسیاری را علاقه مند به فعالیت در این حوزه نموده شامل غیرفرار بودن، سرعت بالای سوییچینگ، فضای کم و انرژی اتلافی پایین است. مقاومت حافظه دار یک عنصر مداری غیرفعال و دو پایه است که عملکردی شبیه مقاومت دارد و در ابعاد نانو ساخته می شود. بر طبق منحنی هیسترزیس آن می توان ثابت نمود که مقدار این مقاومت در طول زمان ثابت باقی می ماند و مقدار این مقاومت به مقدار، پلاریته و زمان ولتاژ اعمال بستگی دارد. منحنی هیسترزیس جریان–ولتاژ در مقاومت حافظه دار باعث می شود تا این عنصر بتواند به عنوان یک حافظه مقاومتی غیر فرار عمل کرده و اطلاعات را تا زمانی که ولتاژی با مقدار و پلاریته متفاوتی به آن اعمال شود حتی تا یک ماه تا یک سال بعد به یاد آورد. مقاومت حافظه دار می تواند جایگزین بسیاری از ترانزیستورها در بعضی از مدارات شده و جای کمتری اشغال کند[1]. تعامل مقاومت حافظه دار با سایر عناصر مدار برای طراحان مهم است. در این مقاله مدار شبیه ساز مقاومت حافظه دار با استفاده از تقویت کننده ترانس رسانایی عملیاتی (OTA)بر اساس ترانزیستور اثرمیدانی نانو لوله کربنی طراحی شده است . مشخص شده است که شبیه ساز پیشنهادی در مقایسه با سایر مدارهای شبیه ساز طراحی شده پیچیدگی کمتری دارد . سازگاری مقاومت حافظه دار با ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی و توانایی عملکرد آن در فرکانس های بالا برای طراحی مدار بر اساس مقاومت حافظه دار بسیار مهم است. شبیه ساز مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی می تواند این دو ویژگی اساسی را با موفقیت ارائه دهد.[7]
|
|
Researchers
|
(Student)، MOUSA YOUSEFI (Primary Advisor)، Khalil Monfaredi (Advisor)
|