|
Title
|
پیاده سازی ضرب کننده دینامیکی چند رقمی سه سطحی بر پایه ترانزیستورهای نانو لوله کربنی
|
|
Type of Research
|
Thesis
|
|
Keywords
|
ترانزیستورهای اثرمیدانی نانو لوله کربنی _ضرب کننده دینامیکی چندرقمی سه سطحی
|
|
Abstract
|
نیازمندی بشر به استفاده از سیستم های پردازشی پرسرعت و کم توان، محققان این حوزه را ترغیب به ارائه تکنولوی های نوظهور کرده است تا بتواند جایگزین این تکنولوژی امروزه شود،بطوری که باحفظ توانمندی های موجود در تکنولوژی های اخیر، مشکلات کوچک سازی ترانزیستور را نیز نداشته باشند. ازجمله تکنولوژی های ارائه شده ترانزیستورهای نانولوله کربنی می باشد که گزینه مناسبی برای جایگزینی ترانزیستور MOSFET است.گزارش های ارائه شده در موردساختار این ترانزیستورها نشان می دهد این ترانزیستور شباهت های زیادی با ترانزیستور MOSFET دارد. مطابق گزارشهای علمی ارائه شده فرایند ساخت ترانزیستورهای نانولوله کربنی با فرایند ساخت CMOS تداخل ندارد و روش ساخت ترانزیستورهای نانولوله کربنی با CMOS سازگاری دارد و این امکان را می دهد تا ترانزیستورهای نانولوله کربنی با CMOS بر روی یک تراشه ساخته شوند ویژگی های منحصر به فردی مانند قابلیت انتقال الکتریکی بالستیک، تحرک پذیری بالای حامل ها، چگالی جریان زیاد، تقارن باند الکتریکی و عدم پیوندهای آویزان ازیک سو و قابلیت تنظیم ولتاژ آستانه و در نتیجه امکان پیاده سازی منطق چندارزشی از سوی دیگر،ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله کربنی را درشمار یکی از مهم ترین گزینه ها به منظور جایگزینی با ترانزیستورهای MOSFET قرار داده اند.
امروزه یکی از بخش های مهم بسیاری از سیستم های VLSIمانند واحد محاسبه پردازنده ها، ریزپردازنده ها، پردازنده های سیگنال های دیجیتال و پردازنده های صدا و تصویر، سلول تمام جمع کننده است. علاوه بر این،تمام جمع کننده ها پایه و اساس بسیاری از مدارهای محاسباتی دیگر مانند تفریق گر، تقسیم گر، ضرب گر مقایسه گر را تشکیل می دهند.
بحث دیگر، ترانزیستورهایMOSFET و محدودیت های آن ها در تکنولوژی نانو می باشد که این محدودیت ها با وجود سرعت بالای تکنولوژی باعث نقض قانون مور می شود. در همین راستا، برای یافتن راه حل این مشکل، پژوهشگران ترانزیستورهای نانولوله کربنی راکه بهترین نوع ترانزیستور برای جایگزینی ترانزیستورهای MOSFET در پیاده سازی منطق سه سطحی می باشند، پیشنهاد می دهند. دلیل این جایگزینی، مزایای بیشتر و بهتر این نوع ترانزیستور ها نسبت به همتایان سیلیکونی خود می باشد. تغییر ولتاژ آستانه با تغییر قطر نانولوله ها و عملکرد بالا و در کنار این ها مصرف انرژی کم چند نمونه از بر
|
|
Researchers
|
(Student)، MOUSA YOUSEFI (Primary Advisor)، Khalil Monfaredi (Advisor)
|