|
Title
|
طیف عبوری تنظیم پذیر بلور مگنتوفوتونی شامل پلاسمای مغناطیده ناهمسانگرد
|
|
Type of Research
|
Presentation
|
|
Keywords
|
بلور مگنتوفوتونی، پلاسمای ناهمسانگرد، تنظیم پذیری
|
|
Abstract
|
در این مقاله طیف عبوری ساختاری از بلور مگنتوفوتونی به شکل(AB)5 P (AB)5 با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. لایه های A و B لایه های دی الکتریک معمولی و P، پلاسمای مغناطیده ناهمسانگرد به عنوان لایه ی نقص می باشند. وجود لایه نقص باعث جایگزیدگی مدنقص در ناحیه گاف باند فوتونی می شود. وابستگی پاسخ نوری لایه ی نقص به شدت میدان مغناطیسی خارجی و چگالی پلاسما سبب تنظیم پذیری شدت عبوری مدنقص می شود. نتایج نشان می دهند با تغییر پارامترها امکان بهینه نمودن شدت عبوری مدنقص در طیف عبوری فراهم می شود.
|
|
Researchers
|
Fatemeh Moslemi (First Researcher)، (Second Researcher)
|