مشخصات پژوهش

عنوان	طیف عبوری تنظیم پذیر بلور مگنتوفوتونی شامل پلاسمای مغناطیده ناهمسانگرد
نوع پژوهش	مقاله ارائه شده
کلیدواژه‌ها	بلور مگنتوفوتونی، پلاسمای ناهمسانگرد، تنظیم پذیری
چکیده	در این مقاله طیف عبوری ساختاری از بلور مگنتوفوتونی به شکل(AB)5 P (AB)5 با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. لایه های A و B لایه های دی الکتریک معمولی و P، پلاسمای مغناطیده ناهمسانگرد به عنوان لایه ی نقص می باشند. وجود لایه نقص باعث جایگزیدگی مدنقص در ناحیه گاف باند فوتونی می شود. وابستگی پاسخ نوری لایه ی نقص به شدت میدان مغناطیسی خارجی و چگالی پلاسما سبب تنظیم پذیری شدت عبوری مدنقص می شود. نتایج نشان می دهند با تغییر پارامترها امکان بهینه نمودن شدت عبوری مدنقص در طیف عبوری فراهم می شود.
پژوهشگران	فاطمه مسلمی (نفر اول)، زهرا بهره ور (نفر دوم)