عنوان
|
مطالعه عددی تاثیر میدان مغناطیسی بر رشد یک حباب در جریان همراه با جوشش با استفاده از روش لول ست
|
نوع پژوهش
|
پایان نامه
|
کلیدواژهها
|
دوفازی، جوشش، رشد حباب، فروسیال، لول ست، نانوسیال
|
چکیده
|
در این مطالعه جریان آرام و انتقال حرارت جابجایی برای نانو سیال مغناطیسی در یک کانال مستطیلی مورد بررسی قرار گرفته.کانال را تحت شرایط افقی و شیب دار تحت زوایای مختلف بررسی خواهیم کرد .در این مساله اثرات میدان مغناطیسی در نظر گرفته می شود،به طوریکه میدان مغناطیسی محوری با گرادیان های مثبت و منفی اعمال خواهد شد.مساله در حالت سه بعدی و با استفاده از روش لول ست و توسط نرم افزار فرترن حل می شود و نتایج با نتایج موجود در ادبیات فن مقایسه خواهند شد.
|
پژوهشگران
|
علیرضا زارعی (دانشجو)، موسی محمد پور فرد (استاد راهنما)
|