|
عنوان
|
تحلیل عددی جریان نانوسیال درون مجرا با خم برگشتی تحت میدان مغناطیسی
|
|
نوع پژوهش
|
پایان نامه
|
|
کلیدواژه‌ها
|
نانوسیال، میدان مغناطیسی،تحلیل عددی، خم برگشتی
|
|
چکیده
|
امروزه بسیاری از روش های فعال و غیر فعال برای افزایش انتقال حرارت در مبدل های حرارتی استفاده می شود. به کمک یکپارچه سازی روش های جدید در انتقال حرارت، شار حرارتی بالایی ایجاد می شود که باعث کاهش اندازه و هزینه های ساخت خواهد شد. این موضوع همچنین باعث کاهش دما می شود که به کاهش تولید انتروپی و افزایش بازدهی قانون دوم ترمودینامیک کمک می کند. علاوه بر این افزایش انتقال حرارت به مبدل های حرارتی کمک خواهد کرد که در سرعت کمتر به ضرایب انتقال حرارت بزرگتر دست پیدا کنند. این به معنی کاهش افت فشار خواهد بود. تمام این مزایا باعث ایجاد علاقه به افزایش انتقال حرارت و کاربرد آن در مبدل های حرارتی خواهد شد. در کار تحقیقاتی حاضر، برای افزایش انتقال حرارت درمجرا های خمیده که بیشتر به عنوان مبدل حرارتی مورد استفاده قرار می گیرند از نانو سیالات مختلف استفاده خواهد شد. با توجه به اینکه نانوسیال ها علاوه برتاثیر مثبت درضریب هدایت گرمایی تاثیر زیادی برروی ضریب انتقال حرارت جابجایی نیز دارند لذا می توان با اعمال میدان مغناطیسی محلی و یا کلی تاثیرات آن برروی میزان انتقال حرارت را مورد بررسی قرار داد.
|
|
پژوهشگران
|
سینا قلی زاده اغمیونی (دانشجو)، نیر رزم آراء (استاد راهنما)، رضا غرائی خسروشاهی (استاد مشاور)
|