مشخصات پژوهش

عنوان	اثر میدان مغناطیسی بر ترابرد الکترونی نانوساختارهای گرافین-گونه
نوع پژوهش	پایان نامه
کلیدواژه‌ها	ساختارهای گرافین گونه-ترابرد الکترونی-روش تنگ بست- تابع گرین
چکیده	گرافین فاقـد گـاف انـرژی اسـت و در نتیجـه نمی توان از آن در دستگاه های الکترونی مبتنی بر گرافین استفاده کرد. روش هایی که می توان در گرافین شکاف انرژی ایجاد کرد عبارت اند از: محدود کردن گرافین به شکل نانونوارهای گرافینی، استفاده از گرافین دولایه، اعمال کرنش، اعمال بی نظمی، ایجاد نقص های متناوب در گرافین و اشباع کردن الکترون های آزاد در سطح گرافین است[4]. یکی از روش های ایجاد گاف در نانوساختارهای گرافین-گونه مانند سیلیسین، اعمال میدان الکتریکی بین زیر شبکه ها اختلاف پتانسیلی ایجاد می شود که این اختلاف پتانسیل موجب ایجاد گاف نواری قابل کنترل در ساختار سیلیسین می شود[5]. ایجاد گاف انرژی در نانوساختارهای گرافین-گونه از جمله سیلیسین که دارای رسانندگی بالایی می باشند، بسیار مهم و پر کاربرد در صنعت الکترونیک است[6]. در پژوهش های قبلی با استفاده از روش تنگ-بست، هامیلتونی موثری برای الکترون ها و حفره های کم انرژی در اطراف نقاط و به دست آمده است. با روشهای پیشنهاد شده در این پایان نامه می توان به گاف قابل تنظیم در مواد گرافین-گونه مانند سیلیسن دست یافت که در صنعت نانو الکترونیک از اهمیت زیادی برخوردار است
پژوهشگران	سولماز ثروتی گرگری (دانشجو)، محمد اسماعیل پور (استاد راهنمای اول)، مسعود اکبری مغانجوقی (استاد مشاور)