|
عنوان
|
اثر ناخالصی در خواص الکتریکی نانوساختارهای گرافین-گونه
|
|
نوع پژوهش
|
پایان نامه
|
|
کلیدواژه‌ها
|
نانو نوار شبه گرافینی- ویژگیهای الکتریکی- مدل تنگ بست- تابع گرین
|
|
چکیده
|
ایجاد گاف انرژی در نانوساختارهای گرافین-گونه از جمله سیلیسین که دارای رسانندگی بالایی می باشد بسیار مهم و پر کاربرد در صنعت الکترونیک می باشد. در پژوهش های قبلی با استفاده از روش تنگ بست، هامیلتونی موثری برای الکترون ها و حفره های کم انرژی در اطراف نقاط و به دست آمده است. نتایج بدست امده میتواند در تنظیم گاف انرژی در نانوساختارهای گرافین گونه، که مورد نیاز قطعات الکترونیکی است، به کار برده شود
|
|
پژوهشگران
|
حمیده صادق زاده (دانشجو)، محمد اسماعیل پور (استاد راهنما)، مسعود اکبری مغانجوقی (استاد مشاور)
|