مشخصات پژوهش

عنوان	طراحی و شبیه سازی مبدل های ترنری به باینری و باینری به ترنری مبتنی بر تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله کربنی
نوع پژوهش	پایان نامه
کلیدواژه‌ها	ترانزیستور نانولوله کربنی، مبدل ترنری به باینری، مبدل باینری به ترنری
چکیده	ترانزیستور اثر میدانی نانولوله های کربنی (CNTFET) به ترانزیستور اثر میدانی میگویند که از یک نانولوله کربنی یا مجموعه ای از نانولوله های کربنی به عنوان ماده کانال به جای سیلیکون در ساختار سنتی MOSFET استفاده میکند. مبدل ترنری به باینری و باینری به ترنری مبتنی بر ترانزیستور CNTFET مورد بررسی قرار میگیرد. انواع مختلف مبدل ترنری هست که میتوان به (NTI,PTI,STI) اشاره کرد. یکی از مهمترین ویژگی های ترانزیستور با اثر میدان نانوتیوب کربن (CNTFET s) قابلیت تنظیم ولتاژ آستانه میباشد، که باعث کاهش پیچیدگی مدارهای چند سطحی میشود. علاوه بر این میتوان به ویژگی های دیگری همچون: رسانایی متقابل بالا، عملکرد سرعت قابل توجه، قابلیت انتقال جریان مناسب، تاثیر نشتی کم، بدنه خیلی باریک بخاطر قطر کوچک است. در مبدل ترنری به باینری و برعکس برخی از مدارها مورد شبیه سازی قرار گرفت که ACTIVE GATE ONE و ACTIVE GATE TWO و نیم جمع کننده ( half adder) و تمام جمع کننده (full adder) است که نتایج شبیه سازی در برنامه hspice با 32نانومتری CNTFET با ولتاژ 0.9 ولت هست که این خود نشانگر عملکرد صحیح و بالایی میباشد.
پژوهشگران	نادر جدی (دانشجو)، موسی یوسفی (استاد راهنما)، خلیل منفردی (استاد مشاور)