|
عنوان
|
وابستگی شدت عبوری مدنقص به محور نوری و تقویت عبور در ساختار بلور مگنتو فوتونی ناهمسانگرد شامل نیم رسانای InSb
|
|
نوع پژوهش
|
مقاله ارائه شده
|
|
کلیدواژه‌ها
|
بلور مگنتوفوتونی، تنظیم پذیری، محور نوری، نیم رسانای ناهمسانگرد InSb
|
|
چکیده
|
در این کار ساختاری از بلور مگنتوفوتونی به شکل InSb (AB)5 (BA)5 پیشنهاد شده که در آن لایه های B, A مواد دی الکتریک و InSb نیمرسانای ناهمسانگرد به عنوان لایه ی نقص می باشند. طیف عبوری ساختار با استفاده از روش ماتریس انتقال 4×4 بررسی شده است. وابستگی پاسخ نوری لایه ی نقص به پارامترهای جهت گیری راستای محور نوری، شدت میدان مغناطیسی و دما سبب حساسیت و تنظیم پذیری شدت عبوری مدنقص می شود. نتایج نشان می دهندکه با تغییر پارامترها امکان بهینه نمودن شدت عبوری مدنقص در طیف عبوری فراهم می شود. اثر زاویه ی موج تابشی در هر دو قطبش بر شدت عبوری مدنقص نیز بررسی شده است.
|
|
پژوهشگران
|
فاطمه مسلمی (نفر اول)، معصومه نعمتی (نفر دوم)
|