مشخصات پژوهش

عنوان	ارائه ساختار مقایسه کننده سه سطحی چند ورودی کامل بر پایه ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی
نوع پژوهش	مقاله چاپ شده
کلیدواژه‌ها	ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی، سه سطحی، منطق چند ارزشی، دیجیتال
چکیده	چکیده: رشد فزاینده اندازه داده ها در سیستم های پردازشی دیجیتال، باعث افزایش تعداد اتصالات بین بلوک های مختلف سیستم های پردازشی شده است، یک راهکار این است که با استفاده از طراحی و پیاده سازی سیستم های پردازشی چند سطحی، اندازه داده های پردازشی را کاهش داد، از طرفی مساله مهم در پیاده سازی سیستم های پردازشی چند سطحی، استفاده از ترانزیستورهای است که قابلیت پیاده سازی سیستم های چند ارزشی را داشته باشند. بخاطر قابلیت ویژه ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی در تنظیم ولتاژ آستانه مختلف، این ترانزیستورها گزینه مناسبی برای پیاده سازی سیستم های چند سطحی است و در مقایسه با ترانزیستورهای اثر میدانی فلز عایق نیمه هادی در پیاده سازی سیستم های چند سطحی انتخاب بهتری می باشد. در این مقاله گزارشی از پیاده سازی مقایسه کننده سه سطحی تک رقمی و دو رقمی بر پایه تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی ارائه شده است. نتایج شبیه سازی در محیط نرم افزار HSPICE نشان می دهد توان مصرفی مقایسه کننده سه سطحی دو رقمی 55/0 میکروات و زمان تاخیر انتشار 70 پیکو ثانیه می باشد، ضمناً پیاده سازی مقایسه کننده های پیشنهادی بر پایه تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی 32 نانو متر انجام شده است.
پژوهشگران	موسی یوسفی (نفر اول)