|
عنوان
|
اثر عوامل خارجی بر رفتار مد نقص در طیف عبوری بلور فوتونی یک بعدی شامل نیم رسانای ناهمسانگرد ایندیوم آرسناید
|
|
نوع پژوهش
|
پایان نامه
|
|
کلیدواژه‌ها
|
بلور فوتونی یک بعدی، عوامل خارجی، مد نقص، ناهمسانگرد، نیم رسانای ایندیوم آرسناید
|
|
چکیده
|
از آنجایی که بلورهای فوتونی متشکل از مواد دی الکتریک معمولی بعد از طراحی و ساخت، ساختار مشخص و ثابتی داشته و کنترل پذیری خواص نوری در این ساختارها امکان پذیر نیست فرایند جایگزیدگی مد نقص و تنظیم پذیری این مدها با عوامل خارجی در ساختارهای بلور فوتونی شامل محیط های ناهمسانگرد از جمله نیم رساناها، پلاسماها، بلورهای مایع، مواد فروالکتریک و غیره به علت عملکرد بالای این ساختارها در طراحی ابزارهای اپتیکی و مگنتواپتیکی کنترل پذیر مورد توجه بسیار قرار گرفته اند. معرفی نیم رسانای ناهمسانگرد چون ایندیوم آرسناید به عنوان لایه ی نقص در ساختارهای بلور فوتونی علاوه بر جایگزیدگی مد نقص در ساختار، به علت وابستگی خواص نوری نیم رسانا به عوامل خارجی چون شدت میدان مغناطیسی خارجی، دما، جهت گیری راستای محور نوری، زاویه و قطبش موج تابشی سبب تنظیم پذیری شدت عبور و مکان فرکانسی مد نقص در طیف عبوری از این ساختارها خواهد شد نهایتا این امر امکان طراحی ابزارهای مگنتواپتیکی تنظیم پذیر چون سنسورهای مغناطیسی و غیره را فراهم می نماید.
|
|
پژوهشگران
|
حامد عبدالله حمود حمود (دانشجو)، فاطمه مسلمی (استاد راهنما)، وحیده کاظم لو (استاد مشاور)
|