مشخصات پژوهش

عنوان	اثر میدان مغناطیسی بر ترابرد الکترونی نانوساختارهای گرافین-گونه
نوع پژوهش	پایان نامه
کلیدواژه‌ها	ساختارهای گرافین گونه-ترابرد الکترونی-روش تنگ بست- تابع گرین
چکیده	گرافین فاقـد گـاف انـرژی اسـت و در نتیجـه نمی توان از آن در دستگاه های الکترونی مبتنی بر گرافین استفاده کرد. روش هایی که می توان در گرافین شکاف انرژی ایجاد کرد عبارت اند از: محدود کردن گرافین به شکل نانونوارهای گرافینی، استفاده از گرافین دولایه، اعمال کرنش، اعمال بی نظمی، ایجاد نقص های متناوب در گرافین و اشباع کردن الکترون های آزاد در سطح گرافین است[4]. یکی از روش های ایجاد گاف در نانوساختارهای گرافین-گونه مانند سیلیسین، اعمال میدان الکتریکی بین زیر شبکه ها اختلاف پتانسیلی ایجاد می شود که این اختلاف پتانسیل موجب ایجاد گاف نواری قابل کنترل در ساختار سیلیسین می شود[5]. ایجاد گاف انرژی در نانوساختارهای گرافین-گونه از جمله سیلیسین که دارای رسانندگی بالایی می باشند، بسیار مهم و پر کاربرد در صنعت الکترونیک است[6]. در پژوهش های قبلی با استفاده از روش تنگ-بست، هامیلتونی موثری برای الکترون ها و حفره های کم انرژی در اطراف نقاط و به دست آمده است. با روشهای پیشنهاد شده در این پایان نامه می توان به گاف قابل تنظیم در مواد گرافین-گونه مانند سیلیسن دست یافت که در صنعت نانو الکترونیک از اهمیت زیادی برخوردار است
پژوهشگران	سولماز ثروتی گرگری (دانشجو)، محمد اسماعیل پور (استاد راهنما)، مسعود اکبری مغانجوقی (استاد مشاور)