|
عنوان
|
اثر پرش لبه ای و پراکندگی مورب در سیستم های دی چالکوجنیدهای عناصر واسطه
|
|
نوع پژوهش
|
پایان نامه
|
|
کلیدواژه‌ها
|
پرش لبه ای،پراکندگی مورب،دی چالکوجنیدها
|
|
چکیده
|
با اولین سنتز موفق گرافین در سال 2004 گرافین جایگزین نیمه هادی های سنتی در ترانزیستورها قرار گرفت تا بتوان ترانزیستورهایی در ابعاد بسیار کوچک ساخت اما جریان الکتریکی در ترانزیستورهای ساخته شده از گرافین براحتی خاموش نمی شوند که این یک مشکل اساسی است.در جست و جویی برای یافتن جایگزین برای گرافین، دانشمندان عناصر واسطه دی چالکوجنید ها را در نظر گرفتند که به علت وجود گپ انرژی، جریان در دی چالکوجنیدها را می توان کنترل کرد. هر تک لایه از دی چاکلوجنیدها به اندازه سه مولکول ضخامت دارد و لایه ها در بین دو لایه مولکول های بورن نیترید ساندویچ مشوند.فرمول شیمیایی تک لایه های دی چالکوجنید ها بصورتMx2 می باشد.همچنین جفت شدگی قوی اسپین مدار در این تک لایه منجر به شکافتگی اوربیتال – اسپین شده و با تنظیم انرژی تحریک فوتون لیزر،اسپین الکترون را کنترل می کند.در این پایان نامه با استفاده از روش نیمه کلاسیک پدیده های پرش لبه ای و پراکندگی مورب در دی چالکوجنیدهای عناصر واسطه که در اثر حضور ناخالصی های مغناطیسی ایجاد می گردد محاسبه خواهد شد.
|
|
پژوهشگران
|
هادی سامی شیراز (دانشجو)، آرش فیروزنیا (استاد راهنما)، مسعود اکبری مغانجوقی (استاد مشاور)
|