مشخصات پژوهش

صفحه نخست /مدلسازی ترانزیستور اثر میدانی ...
عنوان مدلسازی ترانزیستور اثر میدانی گرافینی با کانال شامل دو نقطه ی کوانتومی جفت شده
نوع پژوهش مقاله چاپ شده
کلیدواژه‌ها نقطه کوانتومی، ترانزیستور اثر میدانی، گرافین، ترابرد تشدیدی
چکیده در این مقاله یک نوع ترانزیستور گرافینی اثر میدانی جدید با ترابرد تونل زنی تشدیدی معرفی و مدل سازی می-شود که برای بسیاری از ساختارهای غیرگرافینی دوبعدی مسطح هم که دارای نوار ممنوعه انرژی هستند قابل کاربرد است. همانند سایر ترانزیستورهای اثر میدانی بر پایه ی گرافین، جریان، از طریق نوار دو بعدی گرافینی برقرار می شود. اما در اینجا، با انتخاب منبع و درین نوع p و نیز هندسه ی ویژه ی الکترود گیت، کانال گرافینی، به دو نقطه کوانتومی تبدیل می شود که به صورت سری به هم متصل اند. شدت جفت شدگی بین دو نقطه کوانتومی و اندازه ی این نقاط، مشخصه ی جریان کانال را تعیین می کنند. تونل زنی تشدیدی در مشخصه جریان-ولتاژ سیستم، مشاهده می شود.
پژوهشگران حکیمه محمدپور (نفر اول)