مشخصات پژوهش

صفحه نخست /اثر قطبش بر رفتار مدنقص در ...
عنوان اثر قطبش بر رفتار مدنقص در بلور فوتونی یک بعدی شامل پلاسمای ناهمسانگرد
نوع پژوهش مقاله ارائه شده
کلیدواژه‌ها بلور فوتونی یک بعدی، پلاسمای ناهمسانگرد، قطبش، مدنقص
چکیده در این مقاله، رفتار مدنقص در طیف عبوری از ساختار بلور فوتونی یک بعدی با آرایش (AC)5 P (AC)5 مطالعه شده که در آن لایه های A,C مواد دی الکتریک معمولی و لایه ی نقص P، پلاسمای ناهمسانگرد هستند. حضور لایه ی نقص باعث پدید آمدن مدنقص در ناحیه ی گاف باند فوتونی ساختار می شود. طیف عبوری ساختار در هر دو قطبش TE, TM با استفاده از روش ماتریس انتقال 2×2 بررسی شده است. نشان داده شده که پاسخ نوری لایه ی نقص وابسته به جهت میدان تابشی و قطبش است. اثر قطبش بر فرکانس و شدت عبوری مدنقص مطالعه شده است. نتایج نشان می دهند وابستگی خواص نوری لایه ی نقص در قطبش TM به شدت میدان مغناطیسی خارجی سبب تنظیم پذیری فرکانس و شدت عبوری مدنقص در این قطبش می شود. اثر چگالی پلاسما بر رفتار مدنقص در هر دو قطبش نیز بررسی شده است.
پژوهشگران فاطمه مسلمی (نفر اول)، کاظم جمشیدی قلعه (نفر دوم)، زهرا بهره ور (نفر سوم)